制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

14A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

200 毫欧 @ 8.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

58 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

760 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

79W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3